近年來(lái)，隨著(zhù)半導體輸入端子數量的增加，基板向側面端子的多腿化及信號線(xiàn)間距微細化的發(fā)展。多腿化的趨勢使QFP(Quad Flat Package)構造盤(pán)間的節距狹小化制造的難度增加，特別是面陣列端子（面端子）化的需要，BGA(Ball Grid Array)構造的超小型化封裝的開(kāi)發(fā)。超小型化封裝端子的表面處理的外部引出線(xiàn)需要增加適合的化學(xué)鍍金/化學(xué)鍍鎳?；瘜W(xué)鍍金或電鍍金的工藝方法比較而言，對于獨立的電路圖形上表面處理是適用的，鍍層的厚度可以根據需要增加，這一點(diǎn)是非常有利的。 
     通常銅導體圖形是采用以次亞磷酸鹽作還原劑化學(xué)鍍鎳，而銅與次亞磷酸氧化反應是沒(méi)有催化活化行為的，這就需要采用鈀作為催化劑。該工藝方法就是將基板浸入稀的鈀溶液，當銅導體圖形上浸有催化劑鈀后，就可以實(shí)施化學(xué)鍍鎳的工藝程序。但是，對于超高密度配線(xiàn)的基板該工藝方法是否適用，還要看對鈀催化劑的選擇，因為當基板浸入催化溶液時(shí)，導體圖形間的樹(shù)脂上也會(huì )同時(shí)吸附，化學(xué)鍍鎳過(guò)程中會(huì )沉積在圖形間的樹(shù)脂上面，這樣一來(lái)就會(huì )產(chǎn)生質(zhì)量問(wèn)題。
     這就需要解決選擇性析出的技術(shù)問(wèn)題，銅導體經(jīng)過(guò)催化活化，采用還原劑為DMAB(二甲胺化硼)和稀的化學(xué)鍍鎳溶液，確認其選擇性沉積是有效的。 另外，經(jīng)過(guò)化學(xué)鍍鎳＋金的電鍍處理的基板，與電鍍法鍍出的鍍層相比，其焊接強度就比較低。其主要原因是由鎳粒子粒界被腐蝕***，鎳層中的富磷層形成以及錫-鎳-磷合金層的形成?，F在的問(wèn)題是對鎳層中含磷量的含有率控制，使過(guò)程中不會(huì )產(chǎn)生局部腐蝕，具有適用性的工藝對策是有效的。
     研究表明，化學(xué)鍍鎳層表面形態(tài)即析出形態(tài)，是受催化活化處理的影響而變化，因此也就會(huì )直接影響焊料的焊接強度。所以，提出使用鈀催化活化而不選擇鎳的析出程序的有效性。 二、實(shí)驗方法 2.1 鍍覆處理工藝條件 首先是對基板選擇性析出的評價(jià)，覆銅箔層壓板上的表面試驗圖形形成。試驗用的PGA(Pin Grid Array)基板(板厚度為0.4mm、導線(xiàn)寬度為100μm、線(xiàn)間距為100μm、導體厚度為9μm)。根據基板表面狀態(tài)，進(jìn)行前處理，在65℃堿液中處理1分鐘，在室溫條件下進(jìn)行酸活化1分鐘。然后采用兩種工藝處理方法進(jìn)行化學(xué)鍍鎳。一種工藝方法，銅導體經(jīng)催化處理后上面附有催化物鈀，再進(jìn)行化學(xué)鍍鎳，這是原來(lái)的工藝方法(工藝過(guò)程中含有催化活化一步)；另一種工藝方法，所使用的鈀催化活化處理液中含有氯化鈀(0.05g/dm2)和少量絡(luò )合劑，溫度為25℃，處理1分鐘然后實(shí)施化學(xué)鍍鎳。此鍍液采用DMAB為還原劑和稀的化學(xué)鍍鎳溶液，于是鎳沉積在銅導體圖形上形成均勻的鎳層。這是靠自身的催化活化作用沉積鎳。此種工藝方法后來(lái)稱(chēng)之直接化學(xué)鍍鎳。鎳沉積用的鍍液為含有六個(gè)水的硫酸鎳(0.9g/dm2)，DMAB(3.0g/dm2)和少量的添加劑，溫度為45℃、實(shí)施1分鐘的處理。在這個(gè)工藝中，化學(xué)鍍鎳層的厚度約5μm?；瘜W(xué)鍍鎳液的組成和操作條件見(jiàn)表1所示?；瘜W(xué)鍍鎳溶液中，使用次亞磷酸鈉為還原劑，用硫酸和氨水調節鍍液的pH值到5.5。 通過(guò)上述試驗，將鍍鎳后的基板，用放大鏡來(lái)觀(guān)察基板上銅導體圖形間樹(shù)脂上2.2 焊料球焊接強度測定 焊料球焊接強度的試驗基板，基板厚為0.6mm在樹(shù)脂層上焊盤(pán)直徑為0.65mm，節距為1.27mm?；灞砻婧副P(pán)的處理工藝化學(xué)鍍鎳條件與上述2.1規定的工藝條件相同，然后再在氰酸系化學(xué)鍍金溶液中鍍金厚度為0.05μm?；瘜W(xué)鍍金溶液氰化金(1)鉀、檸檬酸鉀和EDTA鋼，pH值6.0、鍍液溫度為85℃工藝條件下，鍍5分鐘。